特許

J-GLOBAL ID：200903047669717719

半導体ベースの画像センサ

発明者： スヒ オラフ ,  ラオテル ヨゼフ ,  グナデ ミハエル ,  ヴァイレル ディルク ,  ケムナ アルミン ,  フォクトマイエル ヘレオン ,  ステアドマン ロゲル
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ,  フラオンホフェル ゲゼルシャフト ツル フォルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング イー ヴィ
代理人 (3件)： 津軽 進 ,  宮崎 昭彦 ,  笛田 秀仙
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-548535
公開番号（公開出願番号）：特表2007-521863
出願日： 2005年01月07日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

複数の検出器要素又は画像ピクセルを備える検出器装置及び/又は半導体ベースの画像センサが開示され、これら各々は、一体化したSD(シグマデルタ)モジュレータ(20-29)又は一体化したSD-A/D(シグマ デルタ アナログ/デジタル)変換器(20から30)、及び特にCMOS半導体に基づく検出器要素及び/又は上記画像センサを有する。特に、前記SDモジュレータ及び前記SD-A/D変換器の差動式型及び/又はマルチフェーズ構造に基づいて、特に高いノイズロバスト性、高いダイナミックレンジ及びより小さなノイズを備える検出器装置及び又は画像センサが製造されることが可能であるため、これは特にCT装置における利用に適している。

請求項（抜粋）：

一体化したSDモジュレータを各々有する、複数の検出器要素又は画像ピクセルを備える検出器装置において、前記SDモジュレータは、差動式の構成及び/又は複数の段を有する検出器装置。

IPC (2件)：

A61B 6/03 ,  G01T 1/24

FI (2件)：

A61B6/03 320R ,  G01T1/24

Fターム (13件)：

2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088GG21 ,  2G088KK06 ,  2G088LL11 ,  2G088LL18 ,  4C093AA22 ,  4C093CA06 ,  4C093EB12 ,  4C093FD01 ,  4C093FD05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-229722
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• CMOS X-ray Image Sensor with Pixel Level A/D Conversion