特許
J-GLOBAL ID：200903047670997911
半導体メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-355496
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144253
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 チップの小型化及び動作の高速化を図る。【構成】 多数のメモリセルアレイ ARY1 ,ARY2 ...と、各メモリセルアレイ ARY1 ,ARY2 ...に夫々設けているプリセンスアンプ PSA1 ,PSA2...と、多数のメモリセルアレイ ARY1 ,ARY2 ...の同一カラムに共通に設けたセンス・リストアアンプSRA とを備え、各メモリセルアレイ ARY1 ,ARY2 ...のプリセンスアンプ PSA1 ,PSA2 ...の出力をグローバルビット線GBL 、反転グローバルビット線#GBLを介して、同一カラムに共通に設けたセンス・リストアアンプSRA へ入力する構成にする。
請求項（抜粋）：
多数のメモリセルアレイを備え、該メモリセルアレイのデータ線対に読出したデータをセンス・リストアアンプへ入力すべく構成してある半導体メモリにおいて、前記各メモリセルアレイにおける前記データ線対夫々に接続されたプリセンスアンプと、前記メモリセルアレイ夫々の同一のデータ線対に共通に設けたセンス・リストアアンプとを備え、異なるメモリセルアレイの前記プリセンスアンプの出力を、前記センス・リストアアンプへ共通に入力すべく構成してあることを特徴とする半導体メモリ。
引用特許：
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