特許

J-GLOBAL ID：200903047672043184

半導体装置の作製方法

発明者： 高野 圭恵 ,  大谷 久 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065406
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247735
出願日： 1997年03月03日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】 珪素の結晶化を助長する触媒を効率的の除去または低減するための技術を提供する。【解決手段】 珪素を含む非晶質膜103の上に開口部105を有した絶縁膜104を形成する。この開口部105から触媒元素が導入されて非晶質膜103の結晶化が行われる。結晶化後、再び絶縁膜104をマスクとして15族から選ばれた元素を導入し、リン添加領域110を形成する。ここが触媒元素のゲッタリングサイトとなるため、触媒元素が除去または低減された横成長領域111が得られる。

請求項（抜粋）：

珪素を含む非晶質膜上に絶縁膜を選択的に形成する工程と、前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質膜に対して珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に保持または添加する工程と、加熱処理を行い、前記非晶質膜の少なくとも一部を結晶性膜に変成させる工程と、前記絶縁膜をそのままマスクとして前記結晶性膜中に15族から選ばれた元素を選択的に保持または添加する工程と、加熱処理を行い、前記15族から選ばれた元素を保持または添加した領域に、該領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングさせる工程と、を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/322

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 612 B