特許

J-GLOBAL ID：200903047673017110

基板処理方法

発明者： 稲本 吉将 ,  今井 宏 ,  鈴木 正樹 ,  中山 一郎 ,  福井 祥二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-025703
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224877
出願日： 1998年02月06日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】 アルミニウム系の金属パターンがそれを形成するドライエッチングおよびアッシングでのハロゲンガスが原因して後に腐食するのを防止できるようにする。【解決手段】 基板2上の金属層Mのドライエッチング工程またはアッシング工程の後に、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムなどの弱酸強アルカリ塩水溶液31により洗浄して、ドライエッチング工程後に残る塩素およびアルミニウムの塩化物を強アルカリ成分との安定な化合物にして流し去れるようにして、上記のような目的を達成する。

請求項（抜粋）：

基板上の金属層をハロゲンガスによりエッチングして所望の金属パターンを形成するドライエッチング工程の後に、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムなどの弱酸強アルカリ塩水溶液により洗浄することを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 647

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/302 G