特許
J-GLOBAL ID：200903047674775727
回転カソードターゲット、その製法、および該ターゲットを用いて形成される膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-194209
公開番号（公開出願番号）：特開平7-026374
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月27日
要約：
【要約】【構成】熱間等方圧プレスによりSiを主成分としIn、Zn、SnおよびGaからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属のリン化物を含有するターゲット層が形成されてなる回転カソードターゲット。その製造方法。該ターゲットを用いて形成される膜。【効果】酸素雰囲気中でのスパッタでも高導電率を有するスパッタターゲットを得ることができ、大面積の成膜が高速ででき、安定的に低屈折率の透明薄膜を提供できる。
請求項（抜粋）：
円筒状ターゲットホルダー上にアンダコートを形成し、次いで、Siを主成分としIn、Zn、SnおよびGaからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属のリン化物を0.01〜30wt%含有する粉末または該粉末の成形体を配置し、熱間等方圧プレスを行いターゲット層を形成して製造することを特徴とする回転カソードターゲットの製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
