特許

J-GLOBAL ID：200903047675280179

エッチング溝深さ、膜厚および段差の測定方法、およびその装置

発明者： 津村 明 ,  金指 康雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299199
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118832
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に形成される絶縁体の溝の深さを、下部配線構造の影響を受けずに正確に測定できる方法と装置、および、形成された段差や膜厚を測定する技術を提供すること。【解決手段】 測定するための照射光が配線3、3a〜3fの影響を受けない領域の波長で、かつ、溝4a、4b、4c〜4n、5a、5b、5c〜5n、6a、6b、6c〜6n、...32a、32b、32c〜32n、33a、33b、33c〜33nの幅方向に偏光した光を被測定部に垂直に照射し、この被測定部からの反射光の強度にもとづいて行う。

請求項（抜粋）：

溝の内部に導体材料又は半導体材料から成る配線が形成され、この配線の上部に成膜された誘電体表面およびこの誘電体表面に加エされたエッチング溝又は段差に光を照射し、反射光により前記エッチング溝の深さ又は前記段差の深さ又は前記成膜された誘電体の膜厚の少なくともいずれかを一つの被測定部の値を測定する、エッチング溝深さ、段差および膜厚の測定方法において、前記測定は、前記光の波長が測定時に配線の影響を受けない領域で、かつ前記配線が形成された前記溝の幅方向に偏光した光を用い、この光を前記被測定部にほぼ垂直に照射し、この被測定部からの反射光の情報に基づいて前記値を測定することを特徴とするエッチング溝深さ、段差および膜厚の測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G01B 11/06 ,  G01B 11/22 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01B 11/06 G ,  G01B 11/22 G ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/66 Q ,  H01L 21/302 E

Fターム (37件)：

2F065AA25 ,  2F065AA30 ,  2F065BB18 ,  2F065CC17 ,  2F065EE00 ,  2F065FF44 ,  2F065FF49 ,  2F065FF51 ,  2F065FF61 ,  2F065GG02 ,  2F065GG21 ,  2F065GG24 ,  2F065HH03 ,  2F065HH09 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ09 ,  2F065LL02 ,  2F065LL04 ,  2F065LL22 ,  2F065LL33 ,  2F065LL67 ,  2F065PP03 ,  2F065PP11 ,  2F065QQ42 ,  4M106AA01 ,  4M106AA12 ,  4M106BA06 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH31 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ21 ,  5F004CB09 ,  5F004EB03