特許

J-GLOBAL ID：200903047676885732

シリコンエピタキシャル膜の選択成長方法及び成長装置

発明者： 辰巳徹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046456
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267166
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 シラン系ガス及びゲルマン系ガスを用いた選択成長中にSiO2 膜上に形成されるSi原子をポリシリコンの核ができる前にSiCl2 H2 によるエッチングを用いて蒸発させることによって、厚い膜を成長させる。【構成】 SiO2 膜11上にSi2 H6 ガスと、SiCl2 H2 分子線またはラジカルを照射する。SiO2 上のSi原子密度が増加してポリシリコンの形成が起こる前にSiO2 上のSi原子13はSiCl2 H2 またはジクロルシランラジカルと反応して蒸気圧の高いSiCl2 、SiCl、SiHClの形で蒸発してしまう。この時、Si開口部上のSiエピタキシャル層もエッチングされるが、SiO2 上のSi原子数はたかだか1原子層程度であり、時間さえうまく選べば、エピタキシャル層をほとんどエッチングせずにSiO2 上のSi原子を除去することができる。従って、再び選択成長を続けることができ、厚い膜を成長できる。またSi2 H6 ガスと、SiCl2 H2 分子線またはラジカルを交互に照射してもよい。

請求項（抜粋）：

分子線によるシリコンの選択エピタキシャル成長において、基板加熱可能な分子線成長装置内に一部分が絶縁膜によって覆われた基板を配し、気相反応が起こらない領域で、この基板表面にシラン系ガス分子線もしくはゲルマン系ガス分子線もしくはその両方とクロルシラン分子線もしくはクロルシランラジカルを同時に照射することにより成長することを特徴とするシリコンエピタキシャル膜の選択成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/06 504