画像形成方法及び画像形成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：世良和信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301842
公開番号（公開出願番号）：特開2003-107786
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：

【要約】【課題】アモルファスシリコン系感光体を用いる画像形成プロセスにおいて、クリーニング不良による不良画像の発生を防止し、高湿下でも安定した帯電性能を有し、直接注入帯電機構や現像兼クリーニング機構を採用した場合でも長時間の使用においても画像再現性に優れた画像形成方法及び画像形成装置を提供する。【解決手段】アモルファスシリコン系感光体を用いる画像形成プロセスに、母体粒子と、この母体粒子の表面に、微粒子全体に対してスズ元素換算で0.5mol%以上30mol%以下の酸化スズと、この酸化スズのスズ元素に対して0.1mol%以上30mol%以下のタングステンとを含む酸化スズ層が形成されている微粒子が、少なくとも結着樹脂及び着色剤を有するトナー粒子に添加される現像剤を用いる。

請求項（抜粋）：

像担持体である感光体を帯電させる帯電工程と、帯電した感光体に静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、現像剤担持体上に担持させた現像剤を前記静電潜像に転移させてトナー像を形成する現像工程と、感光体上に形成されたトナー像を転写材に静電転写させる転写工程とを含む画像形成方法において、前記感光体は、導電性基体とシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層とを有し、前記現像剤は、少なくとも結着樹脂及び着色剤を有するトナー粒子と微粒子とを含有し、前記微粒子は、母体粒子と、この母体粒子の表面に形成される酸化スズ層とを有し、前記酸化スズ層は、前記微粒子全体に対してスズ元素換算で0.5mol%以上30mol%以下の酸化スズと、酸化スズ層中のスズ元素に対して0.1mol%以上30mol%以下のタングステンとを含むことを特徴とする画像形成方法。

IPC (8件)：

G03G 9/08 374 , G03G 9/08 , G03G 5/08 308 , G03G 5/08 311 , G03G 9/083 , G03G 15/02 101 , G03G 15/08 507 , G03G 21/10

FI (9件)：

G03G 9/08 374 , G03G 9/08 , G03G 5/08 308 , G03G 5/08 311 , G03G 15/02 101 , G03G 9/08 301 , G03G 15/08 507 B , G03G 15/08 507 L , G03G 21/00 312

Fターム (72件)：

2H005AA02 , 2H005AA08 , 2H005AA15 , 2H005CB06 , 2H005CB07 , 2H005DA07 , 2H005EA01 , 2H005EA05 , 2H005EA07 , 2H005EA10 , 2H068CA03 , 2H068DA12 , 2H068DA14 , 2H068DA23 , 2H077AA37 , 2H077AC16 , 2H077AD06 , 2H077AD13 , 2H077AD23 , 2H077AD36 , 2H077BA07 , 2H077EA16 , 2H077FA01 , 2H134GA01 , 2H134GB02 , 2H134HF13 , 2H134JA11 , 2H134KG03 , 2H134KG07 , 2H134KH01 , 2H134KH04 , 2H134KH15 , 2H200FA01 , 2H200FA02 , 2H200GA18 , 2H200GA23 , 2H200GA33 , 2H200GA34 , 2H200GA46 , 2H200GA49 , 2H200GA54 , 2H200GA57 , 2H200GB22 , 2H200GB25 , 2H200GB37 , 2H200GB50 , 2H200HA02 , 2H200HA03 , 2H200HA28 , 2H200HB07 , 2H200HB12 , 2H200HB14 , 2H200HB17 , 2H200HB45 , 2H200HB46 , 2H200HB47 , 2H200JA02 , 2H200JA25 , 2H200LC01 , 2H200LC02 , 2H200LC03 , 2H200LC10 , 2H200MA03 , 2H200MA04 , 2H200MA08 , 2H200MA12 , 2H200MA14 , 2H200MA17 , 2H200MA20 , 2H200MB04 , 2H200MC02 , 2H200MC06

前のページに戻る