特許
J-GLOBAL ID：200903047681723538
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248436
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088285
出願日： 1994年09月17日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 セルを微細化してもCono 及びCoxを十分に大きくすることができ、かつカップリング定数を大きくすることができ、プログラム電圧の低電圧化とセルの微細化の両立をはかり得るEEPROMを提供すること。【構成】 Si基板11上に浮遊ゲート16と制御ゲート18を積層し、浮遊ゲート16と基板11間の電荷の授受によりデータの書き替えを行うEEPROMにおいて、基板11の主面に形成されて相互に平行配置された複数本の溝12により分離され、かつ上端エッジが丸められた凸状の素子形成領域14と、素子形成領域14上にトンネル酸化膜15を介して形成された浮遊ゲート16と、浮遊ゲート16上にゲート酸化膜17を介して形成され、かつ溝12と交差する方向に延在して配置された制御ゲート18とを具備してなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面に形成されて相互に平行配置された複数本の溝により分離され、かつ上端エッジが丸められた凸状の素子形成領域と、前記素子形成領域上にトンネル絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上にゲート絶縁膜を介して形成され、かつ前記溝と交差する方向に延在して配置された制御ゲートとを具備してなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
