特許
J-GLOBAL ID:200903047687861789

ウェハボンディングへテロ構造を含む発光半導体デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-320214
公開番号(公開出願番号):特開2002-151735
出願日: 2001年10月18日
公開日(公表日): 2002年05月24日
要約:
【要約】【課題】 キャリア閉じ込めを向上させる発光半導体デバイスを提供する。【解決手段】 発光半導体デバイスを形成する方法は、活性領域を含む層のスタックを作成する工程と、キャリア閉じ込め半導体を含む構造を上記スタックにウェハボンディングする工程とを含む。発光半導体デバイスは、第1伝導型を有する第1半導体により形成される第1キャリア閉じ込め層と、活性領域と、上記活性領域と上記第1キャリア閉じ込め層との間に設けられるウェハボンディング界面とを含む。発光半導体デバイスは、さらに、第2伝導型を有する第2半導体により形成される第2キャリア閉じ込め層を含み、上記活性領域は、上記第1キャリア閉じ込め層と上記第2キャリア閉じ込め層との間に設けられる。ウェハボンディングされる閉じ込め層によって、キャリア閉じ込めおよびデバイス性能が向上する。
請求項(抜粋):
第1伝導型を有する第1半導体により形成される第1キャリア閉じ込め層と、活性領域と、前記活性領域と前記第1キャリア閉じ込め層との間に設けられるウェハボンディング界面と、を具備することを特徴とする発光半導体デバイス。
Fターム (5件):
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77

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