特許

J-GLOBAL ID：200903047694656112

表面の金属コンタミネーションを検出する方法

発明者： ヒッグス、ビクター
出願人/特許権者： エーオーティーアイ オペレーティング カンパニー インコーポレーティッド
代理人 (1件)： 松永 孝義
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-533365
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511104
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】半導体若しくはシリコン構造の表面又は表面付近の金属コンタミネーションを検出する方法を提供すること。【解決手段】当該構造又はその一部が予め決められた波長の励起(excitation)ビームに露光し、当該構造からのルミネセンスを半導体によってもたらされる実質的に均一な強度を有するPLマップ形式で集め、表面又は表面付近の金属コンタミネーションの特徴点を特定する強化された(enhanced)PL強度領域の一つ又はそれ以上をマップにより検査することで表現される。特に、当該方法はイン-プロセス品質管理又は連結部などの製造された構造の品質管理として応用される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体若しくはシリコン構造又はその一部を予め決められた波長の励起(excitation)ビームに露光し、当該構造からの発光をPLマップ形式で集め、該強化(enhanced)されたPL強度領域の一つ又はそれ以上を検索し、表面又は表面の金属のコンタミネーションの特徴点を特定する(identifying characteristic surface or near surface contamination)ことを含む、半導体又はシリコン構造中の表面又は表面付近の金属のコンタミネーション(contamination)を見つけ出す方法。

IPC (3件)：

H01L21/66 ,  G01N21/64 ,  G01N21/88

FI (4件)：

H01L21/66 N ,  H01L21/66 A ,  G01N21/64 E ,  G01N21/88 K

Fターム (38件)：

2G043AA03 ,  2G043BA01 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043FA02 ,  2G043GA07 ,  2G043GB19 ,  2G043HA01 ,  2G043HA05 ,  2G043HA09 ,  2G043HA15 ,  2G043JA02 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA08 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G043NA01 ,  2G043NA05 ,  2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AB20 ,  2G051BA08 ,  2G051BA10 ,  2G051BB17 ,  2G051CA01 ,  2G051CA04 ,  2G051CA07 ,  2G051CC07 ,  2G051CC11 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA05 ,  4M106CA50 ,  4M106CB30 ,  4M106DA15 ,  4M106DH32