特許
J-GLOBAL ID：200903047699672582
不揮発性半導体記憶装置およびこれを用いた記憶システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-004303
公開番号（公開出願番号）：特開平6-215584
出願日： 1993年01月13日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】ドレインディスターブ耐性のマージンを大きくし、プログラム効率の向上及び消去の高速化を図る。【構成】小さな一括消去ブロックに分離され、ブロックの消去を行った後に、メモリセルのデータを読み出し、同じデータを再び書込むリフレッシュ動作を行う不揮発性半導体記憶装置において、リフレッシュカウンタの代わりにリフレッシュ済みか否かをリフレッシュブロック毎に分散して保持する。本発明を用いると、ドレインディスターブ耐性のマージンが大きくなり、プログラム効率の向上及び消去の高速化を図ることが出来る。さらに、リフレッシュカウンタを不揮発性メモリセルを用いて構成しても、書き込み・消去の集中が起こらない。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタのしきい値が消去状態及び書き込み状態をとることによりデータを記憶する複数の不揮発性メモリセルが行列状に配置され、当該複数の不揮発性メモリセルは同時に消去されるN個の一括消去ブロックに区分され、さらに当該複数の不揮発性メモリセルはM個のリフレッシュブロックに区分された不揮発性メモリセルアレイと、前記リフレッシュブロックにそれぞれ対応して設けられ、MOSトランジスタのしきい値が消去状態及び書き込み状態をとることにより1ビットのデータを記憶する、1番目からM番目まで順序づけされたM個の不揮発性のフラグセルからなるフラグセルアレイと、前記フラグセルアレイに記憶されたデータを1番目から順に読み出し、最初に消去状態であるフラグセルに到達したら当該フラグセルが書き込み状態をとるよう書き込み動作を行うとともに当該フラグセルに対応するリフレッシュブロックの不揮発性メモリセルに対し読み出したデータと同じデータを書き込むリフレッシュ動作を行い、前記フラグセルアレイに記憶されたデータを1番目から順に読み出した結果、フラグセル最後のフラグセルに到達した場合には全てのフラグセルが消去状態をとるよう消去動作を行うリフレッシュ動作制御手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 309 A
, G11C 17/00 309 C
