特許

J-GLOBAL ID：200903047700630961

GaN-HEMTの製造方法

発明者： 見田 充郎 ,  戸田 典彦
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (2件)： 大垣 孝 ,  岡田 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-189063
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016762
出願日： 2006年07月10日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：

【課題】ウエハ面内のHEMT特性の均一性を向上して、HEMTの出力を向上することにより、HEMT素子の歩留りを向上し、信頼性を高める。【解決手段】基板100上に、バッファ層102と、バッファ層上に設けられたUID-GaNチャネル層104と、UID-GaNチャネル層上に設けられたUID-AlGaN電子供給層108と、UID-AlGaN電子供給層上に最上層として設けられたキャップ層110との積層構造を含む半導体本体150を用意し、この半導体本体の、キャップ層の表面である第1主面160上に第1絶縁膜112を形成する。次に、この第1絶縁膜に、オーミック電極用のコンタクトホール118及びゲート電極用のコンタクトホール120を同時に開口して、これらのコンタクトホールに、オーミック電極124及びゲート電極128をそれぞれ形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

GaN-HEMT用半導体本体の上面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜にオーミック電極用のコンタクトホールとゲート電極用のコンタクトホールとを同時に形成し、然る後、オーミック電極及びゲート電極を個別に形成する ことを特徴とするGaN-HEMTの製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/49

FI (6件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/50 J ,  H01L29/58 Z ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 G

Fターム (35件)：

4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD17 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GT03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21