特許

J-GLOBAL ID：200903047707077761

量子井戸型レーザダイオード

発明者： 早川 利郎
出願人/特許権者： イーストマン・コダックジャパン株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-320391
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160515
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】歪み量子井戸型レーザダイオードにおいて、劣化に関わるストレスの影響を低減し、高信頼性を得る。【構成】(111)B面から(100)面に向って0.5度ずれた面方位を有するn-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2、n-Al0.45Ga0.55Asクラッド層3、Al0.15Ga0.85As光ガイド層4、GaAsバリア層5、In0.2 Ga0.8 As歪み量子井戸層6、GaAsバリア層7、Al0.15Ga0.85As光ガイド層8、p-Al0.45Ga0.55Asクラッド層9、p-GaAsキャップ層10を分子線エピタキシ法を用いて連続的に形成する。歪み量子井戸構造においてはストレスは量子井戸層に平行な方向に働くため、(111)方位ではストレスが少なく劣化が抑制される。

請求項（抜粋）：

20nm厚以下の量子井戸を活性層とする量子井戸型レーザダイオードにおいて、前記量子井戸活性層の格子定数がこの量子井戸活性層に隣接するバリア層の格子定数と0.1%以上異なり、かつ前記量子井戸活性層の結晶方位が(111)近傍であることを特徴とする量子井戸型レーザダイオード。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00