特許

J-GLOBAL ID：200903047707392136

ジアルコキシ-ビス(2-チエニル)シラン重合体とその製造方法

発明者： 谷木 靖 ,  益田 英之 ,  中尾 幸道 ,  帰山 享二
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院繊維高分子材料研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089920
公開番号（公開出願番号）：特開平5-255484
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：

【要約】【構成】 一般式【化1】(式中のR1及びR2はアルキル基)で表わされる繰り返し単位で構成され、平均分子量1,000〜100,000の範囲にあるジアルコキシ-ビス(2-チエニル)シラン誘導体であって、これは対応するジアルコキシ-ビス(2-チエニル)シランを電解重合することによって得られる。【効果】 高い電気伝導性を示し、酸化還元が可能な導電性重合体であり、電気素子の材料として好適である。

請求項（抜粋）：

一般式【化1】(式中のR1及びR2はアルキル基である)で表わされる繰り返し単位で構成された、平均分子量が1,000〜100,000の範囲にあるジアルコキシ-ビス(2-チエニル)シラン重合体。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-155460
  
• 特開昭56-166765
  
• 特開平3-284168