特許

J-GLOBAL ID：200903047708231900

新規な光学活性ジホスフィン化合物、該化合物を製造す る方法、該化合物を配位子とする遷移金属錯体並びに該 錯体を用いた光学活性体の製造方法

発明者： 横澤 亨 ,  佐用 昇 ,  松村 和彦 ,  雲林 秀徳
出願人/特許権者： 高砂香料工業株式会社
代理人 (1件)： 江幡 敏夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-261112
公開番号（公開出願番号）：特開平10-067789
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 不斉合成反応における選択性(化学選択性、エナンチオ選択性)、触媒活性等に優れた新規触媒、とくに不斉水素化反応に有効な新しい触媒の配位子を提供する。【解決手段】 下式(I)で表される光学活性ジホスフィン化合物を配位子とする。【化1】(式中、Phはフェニル基を、Xは塩素原子または臭素原子を、R1およびR2は炭素数が1ないし3のアルキル基を示す)

請求項（抜粋）：

下式【化1】(式中、Phはフェニル基を、Xは塩素原子または臭素原子を、R1およびR2は炭素数が1ないし3のアルキル基を示す)で表される光学活性ジホスフィン化合物。

IPC (5件)：

C07F 9/50 ,  B01J 31/22 ,  C07B 53/00 ,  C07B 61/00 300 ,  C07M 7:00

FI (5件)：

C07F 9/50 ,  B01J 31/22 Z ,  C07B 53/00 C ,  C07B 53/00 B ,  C07B 61/00 300