特許

J-GLOBAL ID：200903047710668347

半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法

発明者： 小松 倍雄
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-061252
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250800
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの分割工程を改善することによって、半導体装置を実装する場合のテストパターンの破片に起因する短絡不良を防止し、さらに、半導体装置を実装した電気光学装置の歩留まりを向上させることのできる製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ360におけるスクライブラインに沿って、まず、半導体ウエハ上のテストパターン362の幅よりも厚い刃厚を有する切断刃201を用いて凹溝363を形成し、次に、この凹溝363内を、薄い刃厚を有する切断刃202によって切り込み、切断する。このようにすると、凹溝363の形成によってテストパターン362は完全に除去されるので、ウエハ切断時にテストパターン362の破片が発生することが防止される。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配置され、個々に独立した機能を備えた複数の半導体装置と、前記半導体装置を個々に分離し、前記ウエハの能動面側にテストパターンを備えたスクライブラインと、を有するウエハを個々の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法であって、前記ウエハの前記能動面側に、前記スクライブラインに沿って伸びる第1の幅の凹溝を形成する工程と、その後、前記第1の幅よりも小さい第2の幅で、前記凹溝内を切断する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/00 338

FI (4件)：

G02F 1/1345 ,  G09F 9/00 338 ,  H01L 21/78 F ,  H01L 21/78 L

Fターム (12件)：

2H092GA48 ,  2H092GA55 ,  2H092GA60 ,  2H092MA32 ,  2H092NA16 ,  2H092PA06 ,  5G435AA16 ,  5G435BB12 ,  5G435EE33 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10