特許
J-GLOBAL ID：200903047718478695

半導体膜およびその製造方法、ならびに半導体装置、その製造方法および半導体製造装置

発明者：
牧田 直樹

牧田 直樹 について

, 
岩井 道記

岩井 道記 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-345807
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179501
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】良質な結晶質半導体膜およびその製造する方法を提供する。【解決手段】絶縁性表面上に希ガス元素を含む非晶質半導体層を形成する工程と、非晶質半導体層に結晶化を促進する触媒元素を付与した後、第1の加熱処理を行うことにより、非晶質半導体層を結晶化し、結晶質半導体層を得る工程と、結晶質半導体層中に残存する前記触媒元素の少なくとも一部を移動させることによって、結晶質半導体層に触媒元素の濃度が他の領域よりも低い低触媒領域を形成する工程とを包含する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁性表面上に形成された半導体膜であって、 結晶質を有し、前記半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を含む少なくとも1つの領域を含み、且つ、ほぼ全体に亘って希ガス元素を含む、半導体膜。
IPC (5件)：
H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (7件)：
H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/322 G ,  H01L21/322 P ,  H01L21/322 R ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 627Z
Fターム (88件)：
5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA01 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP23 ,  5F110PP34 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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