半導体装置およびその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236209
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064373
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】ゲイト絶縁膜の一部をマスクとして用いた不純物イオンの注入の工程において発生するゲイト絶縁膜中の欠陥の影響を排除する。【構成】ゲイト電極107の側面に形成された陽極酸化物108を利用して、ゲイト絶縁膜110を形成する。そして、陽極酸化物108を除去して状態で不純物イオンの注入を行うことで、陽極酸化物108が存在していた領域に対応する活性層103の領域に低濃度不純物領域を形成する。その後に低濃度不純物領域上の絶縁膜を除去する。こうすることで、低濃度不純物領域上の絶縁膜中に形成された欠陥の影響を排除することができる。

請求項（抜粋）：

ソース領域とチャネル形成領域との間及びチャネル形成領域とドレイン領域との間に低濃度不純物領域を有し、前記低濃度不純物領域のソース/ドレイン方向の寸法は同じまたは概略同じであり、前記低濃度不純物領域における一導電型を付与する不純物の濃度は前記ソース領域及び前記ドレイン領域におけるものよりも低く、かつ前記チャネル形成領域よりも大きく、かつ前記低濃度不純物領域上にはゲイト絶縁膜が存在していないことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 616 A

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