特許

J-GLOBAL ID：200903047724009818

MOCVD装置

発明者： 嶋津 正
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243242
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059917
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 成膜温度の低減を図ることができるMOCVD装置を提供する。【解決手段】 MOCVD装置において、給電アンテナ42及び高周波電源43を有してなる高周波パワー印加手段を備え、この高周波パワー印加手段によって真空チャンバ内に印加する高周波パワーで真空チャンバ内の原料ガスをプラズマ状態にし、このプラズマ中の活性粒子により化学的な反応を促進して、基板上に強誘電体膜を形成するように構成する。高周波パワー印加手段としては、第1電極としての基板支持台と第2電極とを平行に対向配置してなる容量結合方式のものでもよい。また、容量結合方式の第2電極を中空とし、この第2電極の基板支持台(第1電極)との対向面に開けた多数の孔から基板に向けて原料ガスを吹き出すように構成する。

請求項（抜粋）：

結晶構造膜の原料として有機金属を用い、この有機金属を気化させた原料ガスを真空チャンバ内に供給するとともに真空チャンバ内に設置した基板を所定の成膜温度に加熱して、熱反応により基板上に結晶構造膜を形成するMOCVD装置において、高周波パワー印加手段を備え、この高周波パワー印加手段によって真空チャンバ内に印加する高周波パワーで真空チャンバ内の原料ガスをプラズマ状態にし、このプラズマ中の活性粒子により化学的な反応を促進して、基板上に結晶構造膜を形成するように構成したことを特徴とするMOCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/505

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 B ,  C23C 16/505

Fターム (22件)：

4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030EA00 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AD07 ,  5F045AE01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045DC63 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EE02 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11 ,  5F045EK07