特許

J-GLOBAL ID：200903047725210150

同時スパッタリング法によるホイスラー合金の蒸着方法

発明者： 金 起 園 ,  朴 玩 濬 ,  金 泰 完 ,  宋 利 憲 ,  朴 ▲羊▼ 珍
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-324566
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277926
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】 同時パッタリング法を利用してホイスラー合金薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 チャンバ内の基板ホルダーに搭載された基板と、該基板から所定距離離間した位置に設けられたターゲット装着部に取り付けられたターゲットを含んで構成される蒸着装置を利用して、X2YZまたはXYZの一般構造式を持つホイスラー合金の薄膜を製造する方法において、前記ホイスラー合金の各構成成分を、各々独立的なターゲットまたは2元合金ターゲットとして前記ターゲット装着部に装着し、これに同時スパッタリングを行い、ホイスラー合金薄膜を製造する。

請求項（抜粋）：

チャンバ内の基板ホルダーに位置した基板、及び前記基板から所定距離離隔されたターゲット装着部に位置したターゲットを含む蒸着装置を利用して、X2YZまたはXYZの一般構造式を持つホイスラー合金の薄膜を製造する方法において前記ホイスラー合金の各構成成分を各々独立的なターゲットまたは2元合金ターゲットとして前記ターゲット装着部に装着させて同時スパッタリング法により製造することを特徴とする同時スパッタリング法によるホイスラー合金薄膜の製造方法。

IPC (9件)：

C23C 14/34 ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/10 ,  C22C 19/07 ,  C23C 14/14 ,  H01F 41/18

FI (10件)：

C23C 14/34 C ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/10 ,  C22C 19/07 C ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/14 G ,  H01F 41/18

Fターム (12件)：

4K029BA21 ,  4K029BA22 ,  4K029BA24 ,  4K029BA25 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029EA00 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049GC01