特許
J-GLOBAL ID:200903047729279937
全反射角度設定方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森本 義弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-074765
公開番号(公開出願番号):特開平8-274137
出願日: 1995年03月31日
公開日(公表日): 1996年10月18日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】半導体基板表面の局所的な範囲で全反射角度を設定し、全反射蛍光X線分析における角度を正確に設定でき、測定値の精度を上げる。【構成】ステージ16上の半導体基板14は、ステージ16は支持台15の内部に組み込まれたステッピングモータによって上下に動き、また半導体基板14をX線ビーム12に対して任意の角度に設定できる。X線源11からシンチレーションカウンタ13に向かってX線ビーム12が照射される。X線ビーム12と同時にマイクロ波がマイクロ波発生装置17から半導体基板14に照射される。半導体基板14に照射されたマイクロ波は半導体基板14の表面で励起された電子によって反射され、マイクロ波検出器18で検出される。マイクロ波の反射強度の変化から全反射臨界角を得てこれを基準位置とし、X線ビーム12に対する半導体基板14の角度が小さくなる方向へステージ16を傾斜させる。
請求項(抜粋):
半導体基板に連続的かつ同時にX線とマイクロ波を照射し、前記X線に対する前記半導体基板の角度を変化させながら、前記半導体基板中に励起された電子により反射されたマイクロ波の反射強度変化を測定することを特徴とする全反射角度設定方法。
IPC (3件):
H01L 21/66
, G01B 15/00
, G01N 23/223
FI (3件):
H01L 21/66 N
, G01B 15/00 C
, G01N 23/223
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