特許

J-GLOBAL ID：200903047730444690

プラズマ気相成長装置

発明者： 名取 博之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-133489
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008189
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】プラズマ気相成長装置において、ウェーハ21への損傷や汚染させることなく安価な運用コストで運転できるとともに稼働率の向上を図る。【構成】ウェーハ21の載置面1aをもつ板状のウェーハ保持電極3と、下降したウェーハ保持電極3を隙間なく囲むとともに上昇したウェーハ保持電極3の下面に上部電極4に対向する対向面1bが覆われる二つ割りの箱状のクリーニング電極2a,2bとを別々に設け、クリーニング時には、クリーニング電極2a,2b内にウェーハ保持電極3を収納してプラズマクリーニングしウェーハ保持電極3へのイオンダメージを避けている。また、このクリーニングの時は、成膜されたウェーハはゲートバルブ14で閉られた準備室11に退避している。

請求項（抜粋）：

チャンバー内の上部電極に対向して配置され半導体基板であるウェーハを保持する載置面をもつウェーハ保持電極と、前記上部電極に対向する対向面を有するとともに前記ウェーハ保持電極の前記載置面より前記対向面を露呈させたり前記対向面を前記載置面より下方に配置され該載置面部材により遮蔽されるクリーニング用電極と、このクリーニング電極または前記ウェーハ保持電極との高周波電源の接続を任意に切替える電源切替器と、前記チャンバーと隣接しゲートバルブを介して取付けられる準備室とを備えることを特徴とするプラズマ気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31