特許

J-GLOBAL ID：200903047733137756

インプリントマスクの製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 伊藤 正光
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-003504
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170458
出願日： 2008年01月10日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】パターン位置ずれを有するインプリントマスクのパターン位置ずれを補正することができるインプリントマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】マスク基板30上にパターン形成するパターン形成工程と、マスク基板30上に形成されたパターンの実際の位置と設計上の位置との間の位置ずれ情報を算出する位置ずれ情報算出工程と、算出された位置ずれ情報に応じた体積膨張となるように、基板30内の所定の位置に周囲のマスク基板領域よりも体積が膨張した異質層35を形成する異質層形成工程と、を含む。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

マスク基板にパターンを形成する工程と、 前記基板上に形成された前記パターンの実際の位置と設計上の位置との間の位置ずれ情報を算出する位置ずれ情報算出工程と、 前記算出された位置ずれ情報に応じた体積膨張となるように、前記基板内の所定の位置に周囲のマスク基板領域よりも体積が膨張した異質層を形成する異質層形成工程と、 を含むことを特徴とするインプリントマスクの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  B29C 59/02

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  B29C59/02 Z

Fターム (21件)：

4F209AA36 ,  4F209AA43 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AJ08 ,  4F209AJ09 ,  4F209AP06 ,  4F209AP20 ,  4F209AR07 ,  4F209AR20 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PN13 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28