特許
J-GLOBAL ID：200903047735659407
電子放出素子及びこれを用いた表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-171003
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312741
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 電子放出特性の向上した電子放出素子を提供する。【解決手段】 金属又は半導体素子からなる電子供給層と、電子供給層上に形成された絶縁体層と、絶縁体層上に形成された金属薄膜電極と有し、電子供給層と金属薄膜電極との間に電圧を印加し金属薄膜電極の表面から真空中に電子を放出させる電子放出素子であって、金属薄膜電極と接する絶縁体層の表面層を平坦化したものである。また、絶縁体層は、絶縁体層の表面層が絶縁体層の表面層以外の部分に比してガス圧又は成膜レ-トを低くした条件のスパッタリングで成膜された50nm以上の膜厚を有する誘電体層からなる。
請求項（抜粋）：
金属又は半導体素子からなる電子供給層と、前記電子供給層上に形成された絶縁体層と、前記絶縁体層上に形成された金属薄膜電極と有し、前記電子供給層と前記金属薄膜電極との間に電圧を印加し前記金属薄膜電極の表面から真空中に電子を放出させる電子放出素子であって、前記金属薄膜電極と接する前記絶縁体層の表面層を平坦化したことを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 M
, H01J 31/12 C
