特許

J-GLOBAL ID：200903047742478175

半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに発光素子の製造方法及び発光素子

発明者： 山田 剛
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343524
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177134
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 p型化アニールは高温プロセスのため、GaN系半導体表面付近の窒素の再蒸発により、その上に形成した電極に良好なオーミック接触が得られない。更に、2回の高温プロセスによって、サファイア基板と窒化ガリウム系半導体の格子定数等の違いによる半導体層の結晶欠陥等で発光効率が下がる。【解決手段】 サファイア基板101C面上にMOCVD装置を用いてSiドープのn-GaN層102を4μmの膜厚で成長した後、不純物濃度が1×1020cm-3程度にMgのドープされたGaN103を1μmの膜厚で成長させる。p型化アニールを行う前の清浄な窒化ガリウム系半導体の表面に、水素透過性電極であるPd電極104を厚さ40Å〜1μmの範囲で形成する。その後、窒素もしくはアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で700°C、10分間の熱アニールを行う。

請求項（抜粋）：

p型ドーパントをドープした高抵抗の窒化ガリウム系化合物半導体表面に、水素透過性電極を形成し、その後熱処理を行いp型層を得ることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 H ,  H01S 3/18