特許
J-GLOBAL ID：200903047742668772
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320969
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150110
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 CMOS回路のしきい値電圧の偏りを是正する。【解決手段】 絶縁ゲイト型半導体装置のしきい値電圧を制御するにあたって、ゲイト電極と活性層との仕事関数差を利用する。例えば、N型トランジスタのゲイト電極108をアルミニウムを主成分とする膜109、クロム膜110とすることでN型トランジスタのしきい値電圧のみを正側にシフトさせることができる。本発明は不純物を利用しないので均一性および再現性に優れている。
請求項（抜粋）：
半導体で構成されるソースおよびドレイン領域と、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極とを少なくとも有するNチャネル型およびPチャネル型半導体装置を相補的に組み合わせたCMOS構造を有する半導体装置において、前記Nチャネル型半導体装置のゲイト電極は第1の配線材料で構成され、前記Pチャネル型半導体装置のゲイト電極の少なくとも前記ゲイト絶縁膜と接する面は前記第1の配線材料と仕事関数の異なる第2の配線材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
