特許

J-GLOBAL ID：200903047743370572

Si-F結合を有するSiO2膜の成膜方法および半導体装置

発明者： 大嶽 敦 ,  小林 金也 ,  加藤 聖隆
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234920
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079382
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】平坦化能力および段差被覆性能に優れたSi-F結合を有するSiO2 膜を成膜する。【解決手段】ウエハ10にF添加ポリシラザンを塗布してウエハ保持台11に配置する。反応容器1a内に導入されたO2 ガス40およびH2 ガスをプラズマ化し、高周波装置13でウエハ保持台11に高周波電圧を印加するとともに、ウエハ10を加熱ヒ-タ12で加熱する。【効果】従来プラズマCVD法により成膜されたSi-F結合を有するSiO2 膜よりも平坦化能力および段差被覆能力に優れたSi-F結合を有するSiO2 膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

Si-F結合を有するポリシラザンをウエハ上に塗布し、酸素と、前記ポリシラザン中のSi-N結合を切断する添加物質とが導入された処理容器内で、前記ポリシラザンが塗布された前記ウエハを加熱することを特徴とするSi-F結合を有するSiO2 膜の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 K