特許

J-GLOBAL ID：200903047743682370

半導体素子の製造方法

発明者： 吉田 哲久 ,  内田 正雄 ,  北畠 真 ,  北川 雅俊
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240751
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092750
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板上に形成する炭化珪素膜からなる半導体素子の製造において、安価なシリコン基板を用いて良質の炭化珪素膜を形成するとともに、シリコン基板へのキャリアの流入を防ぎ、流れる電流を炭化珪素膜に限定させることにより、優れた特性の半導体素子を提供する。【解決手段】10オングストローム(1nm) 以上の厚さのシリコン層がシリコン基板1表面に残存する条件で酸素イオン2をシリコン基板1に注入し、加熱処理を行った後、或いは炭化珪素膜7の形成時の加熱によって、酸化シリコン層4を形成し、この酸化シリコン層4によって基板1と分離されたシリコン層上に炭化珪素膜7を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に、10オングストローム(1nm)以上の厚さのシリコン層が前記基板表面に残存する条件で酸素イオンを注入した後に、前記シリコン基板上に炭化珪素薄膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C01B 31/36 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/203 ,  C23C 16/42

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C01B 31/36 A ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/203 Z ,  C23C 16/42