特許
J-GLOBAL ID：200903047748487257
気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-340822
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149877
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】原料導入配管や装置本体にドーパント原料の残留を防止できる気相成長装置を提供すること。【解決手段】半導体基板11を加熱状態でサセプタ13により保持する装置本体12内へ、ドーパント原料(例えばMg原料)が適宜混入された原料ガスを、原料導入配管19により導入し、上記半導体基板の表面に半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる気相成長装置10において、上記装置本体12における原料導入配管19が接続される原料導入部18と、上記原料導入配管19とが50°C以上の所定温度に保温されるよう構成されたものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板を加熱状態下で保持する装置本体に、ドーパント原料が適宜混入される原料ガスを、原料導入配管により導入し、上記半導体基板表面に半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる気相成長装置において、
上記装置本体における上記原料導入配管が接続される原料導入部と上記原料導入配管とが、50°C以上の所定温度に保温されるよう構成されたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC07
, 5F045AC19
, 5F045AD10
, 5F045BB04
, 5F045DP05
, 5F045EB02
, 5F045EC01
, 5F045EC09
, 5F045EJ04
, 5F045EJ09
, 5F173AA01
, 5F173AH02
, 5F173AJ04
, 5F173AP06
