特許
J-GLOBAL ID：200903047750948881
酸化物超電導バルク材料の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢葺 知之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213636
公開番号（公開出願番号）：特開平6-183730
出願日： 1988年10月19日
公開日（公表日）： 1994年07月05日
要約：
【要約】【目的】 Yを含む希土類元素と、Ba,Cu元素とを含む溶融体を急冷して所定形状に凝固し、この成形体を半溶融状態にした後、徐冷することにより、機械的強度および磁場中で高い臨界電流密度を示す酸化物超電導バルク材の製造方法を提供する。【構成】 Yを含む希土類元素(RE)と、Ba,Cu元素とを含む溶融体を急冷して所定形状に凝固し、この成形体を1000°C〜1350°Cに加熱して半溶融状態にした後200°C/hr以下の冷却速度で徐冷し、RE,Ba,Cuの酸化物超電導体の組織REBa2 Cu3 O7-y 相中に直径20ミクロン以下のRE2BaCuO5 相が微細分散した組織を有する酸化物超電導体バルク材料を得る。【効果】 臨界電流密度が高く、かつ高磁場においても臨界電流密度の低下が僅かな酸化物超電導バルク材料が製造可能となった。
請求項（抜粋）：
REBa2 Cu3 O7-y 型酸化物超電導体を形成すべき化学組成の出発原料を調整し、この出発原料を昇温して溶融し、この溶融体を急冷して所定形状に凝固成形し、この成形体を1000°Cから1350°Cまでの温度範囲に属する温度に昇温して半溶融し、この半溶融体を200°C/hr以下の冷却速度で徐冷して包晶反応によって123相を析出形成することを特徴とする磁場中で高い臨界電流密度を示す酸化物超電導バルク材料の製造方法。ここでREは、Y(イットリウム)または希土類元素をいう。
IPC (6件)：
C01G 3/00 ZAA
, C01B 13/14 ZAA
, C01G 1/00
, C04B 35/60 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01B 12/00 ZAA
