特許
J-GLOBAL ID：200903047751824094
太陽電池および太陽電池の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-207202
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191152
出願日： 1985年03月26日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 溝間隔が1拡散距離以上に大きくなり、溝間隔が大きくなるにつれて、捕捉される前に再結合する多数の電荷キャリアが増加することを解決することを目的とする。【構成】 半導体材料の受光面のパターン内に形成された1または2以上の溝内に導電体によって形成された電極を有する半導体材料本体を具備し、各溝の平均的な幅よりも深さを大きく形成され、前記導電体の位置及び形状は、前記溝の位置及び形状によって定められ、前記導電体は、前記溝内に閉じこめられかつ実質的に充填され、前記導電体は、導電体及び半導体材料との間の接触抵抗を減らすためにそれぞれの溝の壁と本質的に接触してなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体材料の受光面のパターン内に形成された1または2以上の溝内に導電体によって形成された電極を有する半導体材料本体を具備し、各溝は、各溝内の導電体の直列抵抗を実質的に減らすとともに、受光面として機能しない領域を減らすために、 各溝の平均的な幅よりも深さを大きく形成され、前記導電体の位置及び形状は、前記溝の位置及び形状によって定められ、前記導電体は、前記溝内に閉じこめられかつ実質的に充填され、前記導電体は、導電体及び半導体材料との間の接触抵抗を減らすためにそれぞれの溝の壁と本質的に接触してなることを特徴とする太陽電池。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 29/44 C
