特許

J-GLOBAL ID：200903047754607256

半導体装置のドライエッチング方法

発明者： 米田 博之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067950
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283460
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 積層構造の絶縁膜のサイドエッチングを防止しながら、コンタクトホールの底部のダメージ層とコンタクトホールの内壁の被着膜とを除去できる半導体装置のドライエッチング方法を提供する。【構成】 Si基板1上のNSG膜2とBPSG膜3とを貫通するコンタクトホール5を形成する。このとき、上記コンタクトホール5の底部のSi基板1にダメージ層6ができ、コンタクトホール5の内壁に被着膜7が形成される。第1の工程において、O2とCF4との混合ガスにRFp300Wを印加して、被着膜7を除去することなく、ダメージ層6のみを除去する。その後、第2の工程において、酸素ガスにRFp75Wを印加して、NSG膜2,BPSG膜3およびSi基板1をエッチングすることなく、コンタクトホール5の内壁の被着膜7を除去する。

請求項（抜粋）：

Si基板上の不純物を含まない酸化膜と不純物を含む酸化膜とからなる積層構造の絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成した後、上記コンタクトホールの底部のSi基板のダメージ層と上記コンタクトホールの内壁の被着膜とを除去する半導体装置のドライエッチング方法において、酸素とフッ化炭素との混合ガスまたは酸素とフッ化炭化水素との混合ガスに第1の高周波電力を印加して、上記Si基板の上記ダメージ層を除去する第1の工程と、酸素ガス、あるいは、第1の工程に用いられた混合ガスと同種の混合ガスであって、第1の工程に用いた混合ガスよりも酸素含有量の多い混合ガスに第1の高周波電力よりも電力が小さい第2の高周波電力を印加して、上記コンタクトホールの内壁の被着膜を除去する第2の工程とを有することを特徴とする半導体装置のドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/302