特許

J-GLOBAL ID：200903047756764057

はんだバンプの接続方法

発明者： 恒次 秀起 ,  細矢 正風 ,  林 剛 ,  佐藤 信夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 小林 将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311843
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153495
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 フリップチップ法においてはんだ層が完全に電極上に転写され、はんだバンプが形成された半導体チップを得ることがである。【解決手段】 転写用キャリア基板1上にはんだ層2の形状より小さく中心に向って面積が増大するパターン形状で、かつ、2層からなり、上層ははんだとのぬれ性に優れ、かつ、はんだとの合金化する金属膜13とし、下層ははんだとのぬれ性に劣る金属膜12とした転写用金属膜11を形成した転写用キャリア基板1を用いてはんだバンプの接続を行う構成を特徴としている。

請求項（抜粋）：

はんだとのぬれ性に劣る転写用キャリア基板上に所望の形状、ピッチからなる複数のドット状のはんだ層を形成し、当該はんだ層と対向する位置に半導体チップの電極部を位置合わせし、前記はんだ層を加熱溶融することにより、前記はんだ層を前記半導体チップの電極部に転写してはんだバンプを形成し、さらに、当該はんだバンプを形成した前記半導体チップを、配線基板あるいは他の半導体チップの電極部に位置合わせした後、再度前記はんだバンプを加熱溶融することにより、前記半導体チップの電極部と前記配線基板あるいは他の半導体チップの電極間を端子接続するはんだバンプの接続方法において、前記転写用キャリア基板上にドット状のはんだ層を形成する前に、前記はんだ層の下の転写用キャリア基板上に、前記はんだ層の形状より小さく、中心に向かって面積が増大するパターン形状で、かつ、少なくとも2層からなり上層ははんだとのぬれ性に優れ、かつ、はんだと合金化する金属膜とし、下層ははんだとのぬれ性に劣る金属膜とした転写用金属膜を形成し、これを転写用キャリア基板として用いて転写バンプを形成し、配線基板あるいは他の半導体チップにバンプ接続することを特徴とするはんだバンプの接続方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/60 311 S