特許
J-GLOBAL ID:200903047770322628

金属クラスター内包フェニルアゾメチンデンドリマー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-020785
公開番号(公開出願番号):特開2003-221442
出願日: 2002年01月29日
公開日(公表日): 2003年08月05日
要約:
【要約】【課題】 発光材料等として有用な、新規な、金属クラスター内包のフェニルアゾメチンドリマーを提供する。【解決手段】 次の一般式【化1】(式中のAは、フェニルアゾメチンデンドリマーの中核分子基であり、次式【化2】の構造で表され、R1は、置換基を有していてもよい芳香族基を示し、lはR1への結合数を示し;Bは、前記Aに対してl個のアゾメチン結合を形成する次式【化3】の構造で表され、R2は、同一または別異に置換基を有していてもよい芳香族基を示し;Rは、末端基として、前記Bにアゾメチン結合する次式【化4】の構造で表され、R3は、同一または別異に置換基を有していてもよい芳香族基を示し;nは、フェニルアゾメチンデンドリマーの前記Bの構造を介しての世代数を示し;mは、フェニルアゾメチンデンドリマーの末端基Rの数を表し、n=0の時はm=lであり、n≧1の時はm=2nlであり;Dは金属クラスターを、kは金属クラスターDの数を各々表している)で示される金属クラスター内包フェニルアゾメチンデンドリマーとする。
請求項(抜粋):
分子樹状構造を有するフェニルアゾメチンデンドリマーに金属クラスターが内包されている錯体物質であって、次の一般式【化1】(式中のAは、フェニルアゾメチンデンドリマーの中核分子基であり、次式【化2】の構造で表され、R1は、置換基を有していてもよい芳香族基を示し、lはR1への結合数を示し;Bは、前記Aに対してl個のアゾメチン結合を形成する次式【化3】の構造で表わされ、R2は、同一または別異に置換基を有していてもよい芳香族基を示し;Rは、末端基として前記Bにアゾメチン結合する次式【化4】の構造で表わされ、R3は、同一または別異に置換基を有していてもよい芳香族基を示し;nは、フェニルアゾメチンデンドリマーの前記Bの構造を介しての世代数を示し;mは、フェニルアゾメチンデンドリマーの末端基Rの数を表し、n=0の時はm=lであり、n≧1の時はm=2nlであり;Dは金属クラスターを、kは金属クラスターDの数を各々表わしている)で示されることを特徴とする金属クラスター内包フェニルアゾメチンデンドリマー。
IPC (3件):
C08G 73/02 ,  C09K 11/06 660 ,  C07F 7/22
FI (3件):
C08G 73/02 ,  C09K 11/06 660 ,  C07F 7/22 U
Fターム (19件):
4H049VN03 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ20 ,  4H049VR42 ,  4H049VS09 ,  4H049VT44 ,  4H049VU25 ,  4J043PA02 ,  4J043QB46 ,  4J043RA03 ,  4J043SB01 ,  4J043TA01 ,  4J043TB01 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UB151 ,  4J043UB152 ,  4J043ZB25 ,  4J043ZB60
引用特許:
審査官引用 (2件)

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