半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-360278
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183281
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】樹脂で封止される半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】本発明による半導体装置は、半導体素子(11)と、半導体素子が搭載される電極板(13)及びリード電極(4,5)を被覆する第1の樹脂層(1)と、電極板及びリード電極とベース基板(6)との間において電極板,リード電極及びベース基板と接着する第2の樹脂層(2)とを有する構造体と、リード電極の一部とベース基板の表面が露出するように構造体を被覆する第3の樹脂層(3)を備える。【効果】第1の樹脂層で保護されるので、製造工程中の電気的特性評価のためにリードを切断するときに故障が発生することを防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子が搭載される電極板と、前記半導体素子と電気的に接合されるリード電極と、前記半導体素子、前記電極板及び前記リード電極が搭載される基板と、前記半導体素子、前記電極板及び前記リード電極を被覆する第1の樹脂層と、前記電極板及びリード電極と前記基板との間において、前記電極板、前記リード電極及び基板と接着する第2の樹脂層と、を有する構造体と、前記リード電極の一部と前記基板の表面が露出するように、前記構造体を被覆する第3の樹脂層と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 23/50

FI (3件)：

H01L 25/04 C , H01L 23/50 G , H01L 23/30 B

Fターム (10件)：

4M109AA02 , 4M109BA02 , 4M109CA21 , 4M109DB02 , 4M109DB15 , 4M109EB11 , 5F067AA03 , 5F067AA19 , 5F067CA01 , 5F067DE04

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