特許

J-GLOBAL ID：200903047774281071

高品質ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法

発明者： 松井 丈雄 ,  湯田坂 雅子 ,  大木 芳正
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  三菱化学株式会社 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 田中 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237500
公開番号（公開出願番号）：特開平10-087395
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年04月07日
要約：

【要約】【目的】レーザーアブレーション法において、高品質のダイヤモンド状炭素薄膜を形成する方法を提供する。【構成】レーザーアブレーション法によって、基板上にダイヤモンド状炭素薄膜を蒸着して成膜するに際し、レーザーエネルギー密度を成膜下限界領域に保つことを特徴とする高品質ダイヤモンド状炭素薄膜の成膜方法である。

請求項（抜粋）：

レーザーアブレーション法によって、基板上にダイヤモンド状炭素薄膜を蒸着して製造するに際し、レーザーエネルギー密度を成膜エネルギー密度下限界領域に保つことを特徴とする高品質ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/06 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/28

FI (4件)：

C30B 29/04 A ,  C01B 31/06 A ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/28