特許

J-GLOBAL ID：200903047774755340

ポリイミド基板の製造方法

発明者： 田宮 幸広 ,  竹中 幹又
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-012558
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327207
出願日： 1991年01月11日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】[目的] 高信頼性を有するPWBやFPCやTABの作成を可能とする、無電解めっき被膜と電解めっき被膜と密着強度の大きいポリイミド基板の作成方法の提供。[構成] ポリイミド樹脂の片面、あるいは両面に導電性被膜を設けたポリイミド基板の製造方法において、ポリイミド樹脂表面に10μm以下好ましくは5μm以下の導電性薄膜を設けた後、これを不活性雰囲気中で300〜500°Cで熱処理し、次いで該導電性被膜の表面を次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、過塩素酸イオンの内の少なくとも1種のイオンを含む溶液で洗浄し、次いで、該導電性薄膜の表面にさらに電気めっきを施すことにより導電性被膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ポリイミド樹脂の片面、あるいは両面に導電性被膜を設けたポリイミド基板の製造方法において、ポリイミド樹脂表面に10μm以下の導電性薄膜を設けた後、これを不活性雰囲気中で300〜500°Cで熱処理し、次いで該導電性被膜の表面を次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、過塩素酸イオンの内の少なくとも1種のイオンを含む溶液で洗浄し、次いで、該導電性薄膜の表面にさらに電気めっきを施すことにより導電性被膜を形成することを特徴とするポリイミド基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/38 ,  B32B 15/08 ,  H05K 1/03