特許

J-GLOBAL ID：200903047781183859

高-k材料の触媒補助ケイ酸塩の堆積方法

発明者： マイトリイー マハジャーニ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  池田 成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-292450
公開番号（公開出願番号）：特開2008-142702
出願日： 2007年11月09日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【課題】高-kケイ酸塩原子層堆積法を提供する。【解決手段】ケイ酸ハフニウム層を得るために、基板をハフニウム前駆体の脈動と、酸化剤の脈動と、シリコン前駆体の脈動と、他の酸化剤の脈動にさらす。付加的に触媒を1以上の反応種とともに別々の入口を通してチャンバ内に並流させてもよい。変形例では、反応種を浸漬手順に導入する前に触媒をチャンバに流してもよい。触媒を別々の入口を通して並流させるか、あるいは触媒浸漬を行うことによって、ケイ酸ハフニウム形成を高速及び/又は低温で進めることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

高-kケイ酸塩堆積法であって、連続して、 (a)少なくとも1枚の基板をチャンバ内に位置決めするステップと、 (b)該少なくとも1枚の基板を高-k前駆体にさらすステップと、 (c)該少なくとも1枚の基板を第1の触媒浸漬液にさらすステップと、 (d)該少なくとも1枚の基板を第1の酸化源にさらすステップと、 (e)該少なくとも1枚の基板をシリコン前駆体にさらすステップと、 (f)該少なくとも1枚の基板を第2の触媒浸漬液にさらすステップと、次いで (g)該少なくとも1枚の基板を第2の酸化源にさらすステップと、 を含む、前記方法。

IPC (4件)：

B01J 37/02 ,  B01J 37/12 ,  B01J 37/14 ,  B01J 29/89

FI (6件)：

B01J37/02 101D ,  B01J37/12 ,  B01J37/14 ,  B01J37/02 101C ,  B01J37/02 101B ,  B01J29/89 Z

Fターム (29件)：

4G169AA01 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA15A ,  4G169BA21A ,  4G169BA21C ,  4G169BB08C ,  4G169BB20A ,  4G169BC52A ,  4G169BC52C ,  4G169BD01A ,  4G169BD02C ,  4G169BD05A ,  4G169BD06A ,  4G169BD12C ,  4G169BE06C ,  4G169BE16A ,  4G169BE32C ,  4G169BE33C ,  4G169DA05 ,  4G169FA03 ,  4G169FB18 ,  4G169FB19 ,  4G169FB39 ,  4G169FB40 ,  4G169FB41 ,  4G169FC02 ,  4G169FC04 ,  4G169ZA37A