特許
J-GLOBAL ID：200903047783366217
半導体装置とその製造方法および研磨方法ならびに研磨装置および研磨装置の研磨面の再生方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284118
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216096
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置表面の凹部や凸部の存在にもかかわらず高精度な平坦化が可能であり、高い歩留まり、高信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板201上に導電膜203を形成し、前記導電膜203を選択的に除去して凹部215、216を形成する。更に、前記凹部215、216を有する導電膜203上に、少なくとも前記凹部215、216の高さ以上に絶縁膜217を形成する。そして、導電膜203をストッパーとして、前記絶縁膜217を、酸化セリウムを含む研磨剤を用いて研磨除去させることによって、前記導電膜203を及び前記絶縁膜217の表面平滑化を行う。
請求項（抜粋）：
半導体装置のポリッシング平坦化工程において使用する研磨剤として、主成分以外の各元素の比率がほぼ100ppm以下であるものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
