特許
J-GLOBAL ID：200903047784208500
半導体素子の不純物シミユレーシヨン方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301023
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114569
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 計算時間が短く、かつ、正確に計算することが可能な半導体素子の不純物シミュレーション方法を提供する。【構成】 半導体素子構造をメッシュ分割によって離散化して行う不純物シミュレーションにおいて、拡散工程では、計算を繰り返すタイムステップΔt毎に、不純物濃度勾配に応じてメッシュの再分割を行う(ステップS6〜S8)。
請求項（抜粋）：
半導体素子構造をメッシュ分割によって離散化して行う不純物シミュレーションにおいて、熱処理工程では、計算を繰り返すタイムステップ毎に、少なくとも不純物濃度勾配に応じてメッシュの再分割を行うことを特徴とする半導体素子の不純物シミュレーション方法。
IPC (3件)：
H01L 21/22
, G06F 15/21
, H01L 21/265
