特許
J-GLOBAL ID：200903047792928015
ハイブリッドIC
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019793
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232287
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】表面に所望のパターンの回路を形成した回路基板に搭載した半導体チップの電極接続用ボンディングワイヤをできるだけ短くして高周波特性を改善するとともに半導体チップの熱放散の効率的化により高出力動作を確保する。【構成】組立後の状態で半導体チップ3の表面が回路基板1の表面と同一平面に収まるように基板1に凹部5を設ける。凹部5の底面には金属ケース11に達する少なくとも1個のスルーホール7が形成されてあり、そのスルーホール7は鑞材8で充たされている。チップ3で発生した熱はその裏面から金属ケース11に延びる鑞材柱を通じて金属ケース11に伝達され放熱が達成される。
請求項（抜粋）：
所要の回路形状に形成された金属膜を表面に備え金属ケース部材に取り付けられた回路基板と、複数の電極パッドを表面に備えた前記回路基板に搭載された半導体チップと、前記金属膜と前記電極パッドとの間をそれぞれ接続するボンディングワイヤとを備えたハイブリッドICにおいて、前記回路基板がその表面の所定の位置に前記半導体チップの厚さとほぼ同じ深さの凹部を有することと、前記凹部の底面であって前記半導体チップの搭載を受ける部分から前記回路基板の金属ケースに接する面まで伸びるとともに内部に熱伝導体を含む少なくとも1個のスルーホールを形成したことを特徴とするハイブリッドIC。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 F
