特許

J-GLOBAL ID：200903047794696405

不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法

発明者： 井上 学 ,  大久保 京夫 ,  門脇 茂 ,  中西 悟 ,  岸 正道 ,  鈴木 茂 ,  窪田 康郎 ,  岩崎 浩典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-182230
公開番号（公開出願番号）：特開平8-044628
出願日： 1994年08月03日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 ライトプロテクト機能のない不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置において、不揮発性のソフトウェアライトプロテクトが可能な不揮発性メモリおよびそれを用いたシステム技術を提供する。【構成】 不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを用いたFlashメモリカード1であって、一括電気的消去および書き込み可能なFlashメモリ2と、電源投入時のパワーオンリセット信号を発生するリセットIC3と、これらのデバイス間のコントロールとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラ4とから構成され、Flashメモリ2には、ライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトするライトプロテクト保存レジスタ5がアトリビュート領域で設定され、システムからプロテクト範囲が設定されるようになっている。

請求項（抜粋）：

不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリであって、前記不揮発性メモリ内に、ユーザ側からアクセスされたアドレスに対する不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を行うために、所定の消去単位に任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存レジスタが設定されていることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (2件)：

G06F 12/14 310 ,  G11C 16/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-157988
  
• 特開平2-230444
  
• 特開平3-129446
  
• 特開昭63-303446