特許

J-GLOBAL ID：200903047795425910

半導体結晶の製造方法およびその装置

発明者： 柴田 真佐知 ,  稲田 知己
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178352
公開番号（公開出願番号）：特開平5-024965
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】【目的】固液界面形状を平坦又は融液に向って凸型にし多結晶化を防止して高品質の単結晶を再現性よく製造する一方、種結晶の融解を防止する。【構成】下方から上方に向けて徐々に固化させるVGF法による単結晶製造装置である。装置は、下端に種結晶配置部3aを有し、その上部に半導体融液7を収容するルツボ3と、ルツボ3の外側に下方が上方よりも低温となるような温度勾配を形成する融液加熱用ヒータ5とを備える。ルツボ3の下端に設けた種結晶配置部3aの周囲を取り巻くように、ルツボ支持台4の内部に冷却水路11を設ける。この水路に冷却水を流しながら成長を行う。結晶は種結晶から結晶終端部に亘って完全な単結晶が得られる。この結晶の固液界面形状15を調べると、結晶全域に亘って凸型になっていることが確認できる。

請求項（抜粋）：

ルツボ底部に種結晶を配置し、ルツボ内に収容した半導体融液を種結晶に接触させて、下方から上方に向けて徐々に固化させることにより結晶を製造する半導体結晶の製造方法において、上記結晶と半導体融液との固液界面形状を平坦又は融液に向って凸型になるように種結晶部分を強制的に冷却するようにしたことを特徴とする半導体結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 11/00 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-085082
  
• 特開昭63-270378