特許
J-GLOBAL ID：200903047797554261

炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法

発明者：
丸山 隆之

丸山 隆之 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-071468
公開番号（公開出願番号）：特開2006-321707
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。【解決手段】α型炭化ケイ素単結晶の(0001)c面から2度未満のオフ角、〈11-20〉方向からのずれが10度未満のオフ方向で切り出した基板上にエピタキシャル成長させた、ウェハ表面に露出した略三角形状の積層欠陥数がウェハ全面で4個/cm2未満であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶ウェハ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
α型炭化ケイ素単結晶の(0001)c面から2度未満のオフ角、〈11-20〉方向からのずれが10度未満のオフ方向で切り出した基板上にエピタキシャル成長させた、ウェハ表面に露出した略三角形状の積層欠陥数がウェハ全面で4個/cm2未満であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶ウェハ。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/42
FI (3件)：
C30B29/36 A ,  C30B25/18 ,  C23C16/42
Fターム (20件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB15 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TK06 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許4912064号
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM