特許
J-GLOBAL ID：200903047798904967
半導体装置及びその半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-192347
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026582
出願日： 2003年07月04日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】スクライブ領域を必要以上に大きくすることなく、配線の形成が容易で、信頼性が高い半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ウエハー1上の隣り合う半導体チップ同士の間にはダイシング領域11を含むスクライブ領域が設けられる。それぞれの半導体チップには素子能動領域12が設けられ、複数の信号配線13が延出している。信号配線13の端部には電極パッド14が設けられ、ダイシング領域11を除くスクライブ領域に貫通電極部15が設けられる。半導体チップの表面には電極パッド14と貫通電極部15とを電気接続する再配線16が形成され、再配線16の他端はダイシング領域11より手前に位置する。半導体チップを複数配列したウエハー1を切断線に沿って切断すると、切断面に配線に関わる貫通電極部15が露出することを防止した半導体装置3が形成される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ウエハーに配列された半導体チップの表面から延出する信号線に対し一端側が電気的に接続され、他端がこれら半導体チップを切断分離するための切断線であるダイシング領域の手前に位置する再配線と、
前記ウエハーを貫通して、一端側が前記再配線に電気的に導通するように形成され、他端側が前記半導体チップの裏面に到達した貫通電極部と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501P
, H01L21/88 J
5F033MM30
, 5F033PP26
, 5F033TT07
, 5F033VV07
, 5F033VV12
, 5F033XX18
