特許
J-GLOBAL ID：200903047802933217
半導体基板の洗浄方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259353
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102115
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 基板内部に金属不純物を拡散させることなく基板表面に金属不純物を取り込んだ酸化膜を形成でき、表面の酸化膜と共に金属不純物を除去する。【構成】 オゾン雰囲気中で半導体基板表面に紫外光を照射して酸化膜を形成し、この後に界面活性剤を添加したバッファフッ酸又は希フッ酸溶液で酸化膜を除去して基板表面に付着している金属不純物を除去する。
請求項（抜粋）：
オゾン雰囲気中で金属不純物の付着した半導体基板表面に紫外光を照射して金属不純物を含む酸化膜を形成し、この後界面活性剤を添加したバッファフッ酸又は希フッ酸溶液で処理することによって酸化膜と共に金属不純物を除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
