特許

J-GLOBAL ID：200903047805465052

半導体回路

発明者： 高橋 弘行
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305684
公開番号（公開出願番号）：特開平5-120888
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 微小振幅信号をCMOSレベルまで電圧振幅を広げる増幅回路において、高ゲインを確保しつつ、高速で低消費電力の回路を実現させるのが目的である。【構成】 出力を引き上げる為のPMOS・M11・M16は、ソース駆動式でVIN1 ・VIN1 を入力し、出力を下げる為のNMOS・M12・M17は、ゲート駆動式で、レベルシフトしたVIN2 ・VIN2 を入力する。リファレンス用定電圧をD13・D14のダイオードにて設定し、出力部分にバイポーラ・トランジスタを駆動用として接続した構成にした。【効果】 本発明の増幅回路をセンスアンプとして使用し、TTL出力を駆動させた場合の性能は従来に比べ、増幅ゲインが2〜5倍と高い状態で速度・消費電流積を1/5〜1/10に大幅に改善することが可能となる。

請求項（抜粋）：

微小振幅信号を入力して電源電圧程度の大振幅信号に電圧変換する増幅回路において、第1の入力信号とこれをレベルシフトした第2の入力信号がそれぞれ第1のFETのソースと第2のFETのゲートに入力され、入力信号により変化するこれら2つのトランジスタの導電率の差により増幅信号を出力する回路を含んでいることを特徴とする半導体回路。

IPC (3件)：

G11C 11/419 ,  G11C 11/416 ,  H03K 19/0185

FI (3件)：

G11C 11/34 311 ,  G11C 11/34 331 ,  H03K 19/00 101 D