特許
J-GLOBAL ID：200903047806006299
半導体製造装置及び半導体製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川崎 勝弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-233891
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068324
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 構成を簡略化してコストを低減し、導電路形成のための調整作業を簡単に行えるようにした、半導体製造装置及び半導体製造方法を提供すること。【解決手段】 ワ-ク1に異方性導電性樹脂フイルム(ACF)2を積層し、ACF2に半導体チップ3を載置して、固定ベ-ス4に形成したフロ-テングベ-ス6上に搬入する。上側シリンダ17を下降させて、熱圧着部5のヒ-タブロック5aを半導体チップ3の面に接近させる。下側シリンダ18を上昇させて、下部加圧部7の球面圧着子7aでフロ-テングベ-ス6を突き上げ、ヒ-タブロック5aにより半導体チップ3を押圧しながらACF2をワ-ク1と半導体チップ3の両面に熱圧着する。フロ-テングベ-ス6は球面圧着子7aを支点として三次元方向に揺動し、ACF2の各導電粒子を均等につぶし、導電路を形成する。
請求項（抜粋）：
ヒ-タブロックを設けた第1の加圧部と、先端に球面圧着部を設けた第2の加圧部と、第1の加圧部と第2の加圧部との間に配置されたフロ-テングベ-スと、第2の加圧部を上下動させる昇降手段とを備え、前記昇降手段により第2の加圧部を上昇させ球面圧着部によりフロ-テングベ-スを突き上げてフロ-テングベ-スとヒ-タブロック間に配置された被加圧物を加圧してなることを特徴とする半導体製造装置。
Fターム (5件)：
4M105BB09
, 4M105EE15
, 4M105EE16
, 4M105EE18
, 4M105EE19
