特許
J-GLOBAL ID：200903047807727801
半導体積層薄膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020923
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055631
出願日： 1992年02月06日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 電子素子として好適な窒化ガリウム系半導体積層薄膜を得る。【構成】 CBE法によってオフ角が0.8度以下のサファイア基板上に窒化ガリウム系半導体薄膜を積層する構造の半導体積層薄膜とその製造方法。【効果】 オフ角が0.8度以下のサファイア基板上に、表面が平坦で結晶性の良好な窒化ガリウム系半導体薄膜が積層した構造の半導体積層薄膜を得ることができる。発光素子、受光素子や高温で動作するトランジスタ用の半導体薄膜積層体として好適なものである。
請求項（抜粋）：
オフ角0.8度以下のサファイアR面基板上に窒化ガリウム系半導体薄膜が積層されてなることを特徴とする窒化ガリウム系半導体積層薄膜。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/203
, H01L 21/86
